：採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區為PN接面的工作原理。
內容拓展：:
PN接面具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。PN接面是由一個N型摻雜區和一個P型摻雜區緊密接觸所構成的，其接觸介面稱為冶金結介面，在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導體，另一邊形成P型半導體，我們稱兩種半導體的交介面附近的區域為PN接面。
從PN接面的形成原理可以看出，要想讓PN接面導通形成電流，必須消除其空間電荷區的內部電場的阻力。很顯然，給它加一個反方向的更大的電場，即P區接外加電源的正極，N區接負極，就可以抵消其內部自建電場，使載流子可以繼續運動，從而形成線性的正向電流。而外加反向電壓則相當於內建電場的阻力更大，PN接面不能導通，僅有極微弱的反向電流（由少數載流子的漂移運動形成，因少子數量有限，電流飽和）。當反向電壓增大至某一數值時，因少子的數量和能量都增大，會碰撞破壞內部的共價鍵，使原來被束縛的電子和空穴被釋放出來，不斷增大電流，最終PN接面將被擊穿（變為導體）損壞，反向電流急劇增大。
